RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2157
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link