RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
75
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
1763
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link