RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
81
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
6.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
1460
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link