RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2379
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link