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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2658
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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