RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
49
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2673
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link