RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link