RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3147
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link