RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3239
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link