RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2713
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link