RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2546
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link