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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3579
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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