RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3250
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link