Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 25
    Rund um -25% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.2 left arrow 16.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.8 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 19.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 14.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 3326
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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