RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2990
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link