Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 30
    Rund um 17% geringere Latenzzeit
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 16.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 2460
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche