RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3559
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link