RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2995
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link