RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2765
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link