RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2636
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link