RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
34
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2826
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link