RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2755
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link