RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
25
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2646
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link