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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2919
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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