RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
4043
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link