RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link