RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
4122
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link