RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3171
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link