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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
25
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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