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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2209
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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