RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 29

Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.1 15.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 2711

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns