RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2653
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link