RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2979
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link