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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
78
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1602
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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