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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2822
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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