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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1586
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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