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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2681
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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