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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2681
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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