RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
70
Rund um -233% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
2,924.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5600
Rund um 3.04 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,318.9
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,924.1
20.0
Speicherbandbreite, mbps
5600
17000
Other
Beschreibung
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
813
4170
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link