Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Gesamtnote
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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Unterschiede

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.6
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    21 left arrow 70
    Rund um -233% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    20.0 left arrow 2,924.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5600
    Rund um 3.04 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    70 left arrow 21
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,318.9 left arrow 20.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,924.1 left arrow 20.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    5600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    813 left arrow 4170
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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