RAM-Vergleich Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Gesamtnote

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 43

Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

21.4 14.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 9.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2506 3448

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns