RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
43
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3081
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link