RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
43
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3081
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link