RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
53
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3020
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link