RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2479
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link