RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3401
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-006.A02LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link