RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2503
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link