RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
55
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2457
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link