RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
46
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2469
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link