RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
22.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3873
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link