RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
43
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3098
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link