RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
43
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2362
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link