Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Gesamtnote
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Unterschiede

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 43
    Rund um -48% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 15.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 12.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2506 left arrow 2865
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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